一种表面等离子体共振传感器芯片的制作方法专利登记公告

专利名称：一种表面等离子体共振传感器芯片的制作方法

摘要：本发明提供一种表面等离子体共振传感器芯片的制作方法，包括以下步骤：制备带有图案的凸膜及金属墨水；使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底上，使所述柔性衬底上形成与所述图案对应的凹槽；将所述金属墨水在所述凹槽内印刷制膜。本发明方法适用于棱镜型和光栅型表面等离子体共振传感器芯片的制作，且该方法工艺简单，能大面积、大规模、低成本地生产上述传感器芯片，有能力解决传感器芯片的制备需求，很好地满足目前的实际需要。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210154243.1

专利申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

专利发明（设计）人：潘革波;李岩;肖燕

主权项：一种表面等离子体共振传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：Ⅰ、制备带有图案的凸膜及金属墨水；Ⅱ、使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底（1）上，使所述柔性衬底（1）上形成与所述图案对应的凹槽（2）；Ⅲ、将所述金属墨水印刷到所述凹槽（2）内，退火后形成金属膜（3）。

专利地区：江苏