具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法专利登记公告

专利名称：具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法

摘要：本发明涉及到一种制备技术简单、形貌可控、重复性良好的Al/Ge双层膜中Ge分形团簇的Al诱导合成方法，也即是一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将一定质量的高纯Ge(纯度99.9999wt.%)和高纯Al(纯度99.9wt.%)分别放置于真空热蒸发装置中的钼舟上。衬底选择单晶Si(100)晶面，在室温下当真空度优于2.67×10-3Pa时，通过调节电流和电压的大小，控制Ge和Al的蒸发沉积速率即可得到室温下的Al/G

专利类型：发明专利

专利号：CN201210154266.2

专利申请（专利权）人：上海大学

专利发明（设计）人：陈志文;李全宝;陈琛;刘延雨;王利军;焦正;吴明红

主权项：一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，其特征在于具有以下过程和步骤：????a.?将一定质量的高纯Ge(纯度99.9999?wt.%)和高纯Al(纯度99.9?wt.%)分别放置于真空热蒸发装置中的钼舟上；衬底选择洁净的单晶Si(100)晶面；在室温下当真空度优于2.67×10?3Pa时，先蒸发半导体Ge，通过调节电流和电压的大小，控制Ge的蒸发沉积速率约为0.5到1??/S；然后再蒸发金属Al，沉积速率约为5到10??/S，?通过膜厚显示仪控制Al和Ge薄膜厚度分别为40和45?纳米；即可得

专利地区：上海