一种用于磁控溅射镀膜过程的直流脉冲装置专利登记公告

专利名称：一种用于磁控溅射镀膜过程的直流脉冲装置

摘要：本发明公开了一种用于磁控溅射镀膜过程的直流脉冲装置，包括溅射靶位（1）和自转装卡台（2），溅射靶位（1）下方设有自转装卡台（2），自转装卡台（2）连接有离子脉冲偏压电源（3）。本发明同时实现在镀膜过程中镀层的生长及溅射离子对基片的离子轰击两种目的，提高镀层的硬度、致密性，耐腐性、耐磨损及膜/基结合力，同时对基片表面产生清洗作用，以清除基片表面上的污染物和氧化物、产生缺陷作用、破坏表面结晶结构、改变表面形貌、离子掺入、温度升高、表面成分变化。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210161362.X

专利申请（专利权）人：文晓斌

专利发明（设计）人：文晓斌;栾亚

主权项：一种用于磁控溅射镀膜过程的直流脉冲装置，其特征在于：包括溅射靶位（1）和自转装卡台（2），溅射靶位（1）下方设有自转装卡台（2），自转装卡台（2）连接有离子脉冲偏压电源（3）。

专利地区：广东