多层透明导电薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：多层透明导电薄膜的制备方法

摘要：一种多层透明导电薄膜的制备方法，所述的多层透明导电薄膜的结构包括衬底，在该衬底上依次是ZnS-SiO2层、Ag层和ZnS-SiO2层，制备方法包括如下：磁控溅射方法在玻璃衬底或有机柔性衬底上依次溅射沉积ZnS-SiO2、Ag、ZnS-SiO2。其中ZnS-SiO2靶材中SiO2含量摩尔百分比不高于20%。溅射过程中衬底温度为室温，各膜层厚度为ZnS-SiO2：30～45nm，Ag：5～18nm。沉积薄膜样品在80～300℃下退火处理，保温时间为0.5-1小时，本发明可获得平均透过率80%以上，表面电阻15

专利类型：发明专利

专利号：CN201210162353.2

专利申请（专利权）人：中国科学院上海光学精密机械研究所

专利发明（设计）人：龙国云;耿永友

主权项：一种多层透明导电薄膜的制备方法，所述的多层透明导电薄膜的结构包括衬底（1）、在该衬底（1）上依次是ZnS?SiO2层（2）、Ag层（3）和ZnS?SiO2层（2），其特征在于制备过程如下：a．磁控溅射靶材为高纯ZnS?SiO2和Ag靶材，其中ZnS?SiO2靶材中SiO2的摩尔百分含量不高于20%；b．将基板，在丙酮、乙醇、去离子水中依次超声清洗，之后用高纯氮气吹干，获得衬底（1）；c．将衬底放于磁控溅射反应室，反应室真空至少抽到3.8×10?4Pa，通入高纯氩气作为工作气体，压强为0.5～5pa；d．射

专利地区：上海