使用GaN LED芯片的发光器件专利登记公告

专利名称：使用GaN LED芯片的发光器件

摘要：一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210162517.1

专利申请（专利权）人：三菱化学株式会社

专利发明（设计）人：城市隆秀;冈川广明;平冈晋;岛敏彦;谷口浩一

主权项：一种发光器件，其中下列(a)的GaN基LED芯片是倒装芯片安装的：(a)GaN基LED芯片，包括透光衬底以及在所述透光衬底上形成的GaN基半导体层，所述GaN基半导体层具有从所述透光衬底侧开始依次包括n型层、发光层和p型层的层叠结构，其中，正电极在所述p型层上形成，所述电极包括由氧化物半导体组成的透光电极，以及与所述透光电极电连接的正接触电极，以及所述正接触电极的面积小于所述p型层的上表面的面积的1/2。

专利地区：日本