一种利用二次阳极氧化铝模板制备多层纳米线及方法专利登记公告

专利名称：一种利用二次阳极氧化铝模板制备多层纳米线及方法

摘要：本发明涉及一种利用二次阳极氧化铝模板制备多层纳米线及方法；其多层纳米线为[NiFe/Cu/Co/Cu]n。NiFe层与Cu/Co/Cu层交替排列组成，直径为80~120nm。采用双电解槽，利用三电极体系进行双槽控电位沉积；先将二次阳极氧化铝膜电极置于NiFe电解槽中，控电位沉积NiFe合金，经超声清洗，快速转换至Cu/Co/Cu电解槽中，通过双脉冲技术控电位沉积Cu/Co/Cu，为1个周期，如此重复个n周期；获得[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线。应用本方法制备的[NiFe/Cu/Co/Cu]n多

专利类型：发明专利

专利号：CN201210164263.7

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：张卫国;王宏智;姚素薇;谢仁鑫

主权项：一种利用二次阳极氧化铝模板制备多层纳米线，其特征是多层纳米线为[NiFe/Cu/Co/Cu]n；NiFe层与Cu/Co/Cu层交替排列组成；直径为80~120nm。

专利地区：天津