硅电容器内部多层电极连接结构及连接方法专利登记公告

专利名称：硅电容器内部多层电极连接结构及连接方法

摘要：本发明涉及一种硅电容器内部多层电极连接结构及连接方法，其包括衬底；所述衬底的表面上形成第一内部电极层，所述第一内部电极层的上方设有若干交替分布的奇数电极层与偶数电极层，且奇数电极层与偶数电极层在衬底上方匹配对应；奇数电极层与偶数电极层间设置有介质层，且第一内部电极层与邻近的奇数电极层间通过介质层相连；所述衬底上方设有互连电极，所述互连电极包括第一金属外电极及第二金属外电极，所述第一金属外电极与奇数电极层及第一内部电极层等电位连接，第二金属外电极与偶数电极层等电位连接，第一金属外电极与第二金属外电极绝缘隔离

专利类型：发明专利

专利号：CN201210165420.6

专利申请（专利权）人：无锡纳能科技有限公司

专利发明（设计）人：陈杰;唐剑平;雷鸣;陈立军

主权项：一种硅电容器内部多层电极连接结构，包括衬底（1）；其特征是：所述衬底（1）的表面上形成第一内部电极层，所述第一内部电极层的上方设有若干交替分布的奇数电极层（4）与偶数电极层（5），且奇数电极层（4）与偶数电极层（5）在衬底（1）上方匹配对应；奇数电极层（4）与偶数电极层（5）间设置有介质层（3），且第一内部电极层与邻近的奇数电极层（4）间通过介质层（3）相连；所述衬底（1）上方设有互连电极，所述互连电极包括第一金属外电极（12）及第二金属外电极（14），所述第一金属外电极（12）与奇数电极层（4）及第一内

专利地区：江苏