多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法专利登记公告

专利名称：多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法

摘要：本发明提供一种多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，可以快速计算任意平面波入射时的近场分布。步骤1、将掩模分区构造对应的二维平面，并离散化；步骤2、求解四个光栅区的托普勒兹Toeplitz矩阵；步骤3、求解矩阵对角矩阵Kx、Ky及入射区矩阵YI、ZI；步骤4、求解每层光栅的特征矩阵；步骤5、利用增强透射矩阵法，求解第四层光栅中的常数矩阵；步骤6、求解第四层光栅中各个衍射级次的电磁场振幅；步骤7、求解掩模近场的复振幅分布及光强分布。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210166477.8

专利申请（专利权）人：北京理工大学

专利发明（设计）人：李艳秋;杨亮

主权项：多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将掩模分区构造对应的二维平面，并离散化：首先将掩模分解为六个区域，其中包含四个光栅层，每一层为交替排列的两种材料，然后构造对应的二维平面，最后将这四个二维平面进行离散化；第四层是电介质，且周期是前两层的二倍；步骤2、求解四个光栅区的托普勒兹Toeplitz矩阵：首先对四个光栅区的介电常数、介电常数倒数进行Fourier级数展开，然后在进行求解四个光栅区的Toeplitz矩阵；步骤3、求解分别由各衍射级次波矢量沿x轴分量、沿y轴分量组成

专利地区：北京