一次性可编程器件以及集成电路专利登记公告

专利名称：一次性可编程器件以及集成电路

摘要：本发明提供了一种一次性可编程器件以及集成电路。根据本发明的一次性可编程器件包括：第一PMOS器件和右边的第二PMOS器件；其中，第一PMOS器件的栅极的第一侧壁多晶硅两侧的侧壁分别由从第一侧壁多晶硅依次向外布置的侧墙以及侧墙隔离层组成；其中，第二PMOS器件的第二栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第二栅极多晶硅依次向外布置的第一侧墙隔离层、第一偏移侧墙、第二侧墙隔离层以及第二侧墙组成。第一PMOS器件的栅极的侧壁多晶硅、侧墙隔离层和侧墙上覆盖了硅化物阻挡层。第二PMOS器件的栅极多晶硅、第一侧墙隔离层、第一偏移

专利类型：发明专利

专利号：CN201210169500.9

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：肖海波

主权项：一种一次性可编程器件，其特征在于包括：第一PMOS器件和右边的第二PMOS器件；其中，第一PMOS器件的栅极的第一侧壁多晶硅两侧的侧壁分别由从第一侧壁多晶硅依次向外布置的侧墙以及侧墙隔离层组成；其中，第二PMOS器件的第二栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第二栅极多晶硅依次向外布置的第一侧墙隔离层、第一偏移侧墙、第二侧墙隔离层以及第二侧墙组成。

专利地区：上海