一种X射线检测装置的阵列基板及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种X射线检测装置的阵列基板及其制造方法

摘要：本发明公开了一种X射线检测装置的阵列基板及其制造方法，所述制造方法包括：形成于衬底基板之上相对而置的源极和漏极，及与漏极连接的反光层；形成于源极和漏极之上的欧姆层，及形成于欧姆层之上并与源极和漏极形成沟道的有源层；形成于反光层之上的光电二极管，及形成于光电二极管之上的透明电极；形成于有源层和透明电极之上并覆盖整个基板的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层之上，位于有源层上方的栅极及通过栅极绝缘层过孔与透明电极连接的偏压电极。由于有源层可在第二次掩模工艺中形成，沟道不再受到刻蚀的影响，且后续步骤形成的栅极可对沟道进

专利类型：发明专利

专利号：CN201210084478.8

专利申请（专利权）人：北京京东方光电科技有限公司

专利发明（设计）人：谢振宇;张文余;徐少颖

主权项：一种X射线检测装置的阵列基板，其特征在于，包括：形成于衬底基板之上相对而置的源极和漏极，及与漏极连接的反光层；形成于源极和漏极之上的欧姆层，及形成于欧姆层之上并与源极和漏极形成沟道的有源层；形成于反光层之上的光电二极管，及形成于光电二极管之上的透明电极；形成于有源层和透明电极之上并覆盖整个基板的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层之上，位于有源层上方的栅极及通过栅极绝缘层过孔与透明电极连接的偏压电极。

专利地区：北京