CMOS图像传感器及其制作方法专利登记公告

专利名称：CMOS图像传感器及其制作方法

摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，通过形成于感光器件表面的、或形成于介质层中的、或形成于金属布线层中的纳米金属颗粒层，利用纳米金属颗粒层的表面等离子体激元，增强位于其下的感光器件对光的吸收效率；通过控制表面金属颗粒层的纳米金属颗粒的大小，增强对于特定波长光的吸收。本发明不仅增强了CMOS图像传感器原本可吸收波段光的吸收效率，而且有效地提高了该图像传感器对波长在500~1000nm之间的较长波长光的吸收效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210179602.9

专利申请（专利权）人：上海中科高等研究院

专利发明（设计）人：田犁;汪辉;陈杰;方娜;苗田乐

主权项：一种CMOS图像传感器，其特征在于，所述图像传感器至少包括：半导体衬底；感光器件，位于所述半导体衬底中，以将光信号转换成电信号；像素读出电路，位于所述半导体衬底中，以将感光器件产生的电信号读出；隔离结构，位于所述半导体衬底中且位于所述感光器件和像素读出电路的各相邻器件之间；介质层和金属布线层，位于所述感光器件及半导体衬底表面，以实现各该器件的电连接；纳米金属颗粒层，在垂直方向上位于所述感光器件上方，形成于所述感光器件表面，或形成于所述介质层中，或形成于所述金属布线层中，以提高所述感光器件对光的吸收效率。

专利地区：上海