提高载流子迁移率的CMOS器件的制作方法及器件结构专利登记公告

专利名称：提高载流子迁移率的CMOS器件的制作方法及器件结构

摘要：本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种提高载流子迁移率的CMOS器件的制作方法及器件结构，包括：提供包含NMOS有源区、PMOS有源区和周边区域的衬底；在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀临近所述NMOS有源区的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽；在所述拉应力凹槽内填充拉应力材料；刻蚀临近所述PMOS有源区的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成压应力凹槽；以及在所述压应力凹槽内填充压应力材料。本发明制作方法不会对器件形状造成破坏而且避免了制作工艺对器件性能的干扰，并且制造工艺要求低，也有利

专利类型：发明专利

专利号：CN201210169809.8

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：刘格致;黄晓橹

主权项：一种提高载流子迁移率的CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供包含NMOS有源区、PMOS有源区和周边区域的衬底；在所述衬底的周边区域中形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀临近所述NMOS有源区的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽；在所述拉应力凹槽内填充拉应力材料；刻蚀临近所述PMOS有源区的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成压应力凹槽；以及在所述压应力凹槽内填充压应力材料。

专利地区：上海