一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法专利登记公告

专利名称：一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法

摘要：本发明公开了一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，包括下列步骤：提供静态随机存储器衬底，衬底上包括依次相邻的NMOS区域、第一PMOS区域和第二PMOS区域，第一NMOS区域用于制备普通NMOS器件、控制管和下拉管，第一PMOS区域用于制备普通PMOS器件，第二PMOS区域用于制备上拉管；在NMOS区域、第一PMOS区域和第二PMOS区域之间形成浅槽隔离区；同时对NMOS区域和第二PMOS区域采取产生张应力的碳化硅外延形成工艺，分别在NMOS区域和第二PMOS区域源漏外延形成碳化硅晶格。本发明使得上拉管

专利类型：发明专利

专利号：CN201210135987.9

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供静态随机存储器衬底，所述衬底上包括依次相邻的NMOS区域、第一PMOS区域和第二PMOS区域，所述第一NMOS区域用于制备普通NMOS器件、控制管和下拉管，所述第一PMOS区域用于制备普通PMOS器件，所述第二PMOS区域用于制备上拉管；在所述NMOS区域、所述第一PMOS区域和所述第二PMOS区域之间形成浅槽隔离区；同时对所述NMOS区域和所述第二PMOS区域采取产生张应力的碳化硅外延形成工艺，分别在所述NMOS区域和所述第二PMOS

专利地区：上海