高精度带隙基准电路专利登记公告

专利名称：高精度带隙基准电路

摘要：本发明涉及集成电路领域。为尽量减小失调电压的影响，本发明采取的技术方案是，高精度带隙基准电路，由PMOS管P1、P2、P3、P4，NMOS管N1、N2，三极管Q1、Q2组成，此外还包括10个coms开关，使N1与N2轮流与C点和D点相连接，并且N1与N2两条支路轮流与A点和B点相连接；或者，Q1与Q2轮流与P1和P2相连接。本发明主要应用于高精度带隙基准电路的设计制造。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210170303.9

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：高静;于海明;徐江涛;姚素英;史再峰;陈思海

主权项：一种高精度带隙基准电路，由PMOS管P1、P2、P3、P4，NMOS管N1、N2，三极管Q1、Q2组成，其特征是，PMOS管P1、P2的栅极相连，PMOS管P1、P2的源极接电源，PMOS管P1的漏极接两个CMOS开关的输入端，PMOS管P1的漏极连接的两个CMOS开关的输出端分别各自连接到C点、D点，与PMOS管P1的漏极连接且输出端连接到C点的CMOS开关的负、正时钟端分别对应连接脉冲信号X2、脉冲信号X2反相信号，与PMOS管P1的漏极连接且输出端连接到D点的CMOS开关的正、负时钟端分别对应连接脉

专利地区：天津