低噪声带隙基准电路和基准源产生系统专利登记公告

专利名称：低噪声带隙基准电路和基准源产生系统

摘要：低噪声带隙基准电路和基准源产生系统。所述基准源产生系统包括：带隙基准产生电路、低压差线性稳压电路以及低噪声带隙基准电路；所述低噪声带隙基准电路包括：启动电路、钳位电路、温度系数补偿电路和输出电路；所述启动电路用于向其他电路提供启动电压，并在其他电路启动后关闭；所述钳位电路，包括采用电流镜结构连接的四个MOS管，以实现钳位作用；所述温度系数补偿电路用于对钳位电路输出的电压进行温度系数补偿，并产生与温度无关的基准电压；所述输出电路用于输出第二基准电压。所述基准源产生系统具有极低噪声和较高的电源抑制比。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210173518.6

专利申请（专利权）人：昆山锐芯微电子有限公司

专利发明（设计）人：张琦

主权项：一种低噪声带隙基准电路，其特征在于，包括：启动电路、钳位电路、温度系数补偿电路和输出电路；所述启动电路用于向其他电路提供启动电压，并在其他电路启动后关闭；所述钳位电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与漏极相连，源极耦接第一基准电压，漏极连接第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的源极连接所述温度系数补偿电路，栅极连接第二NMOS管的栅极；所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极，源极耦接第一基准电压，漏极连接第二NMOS管的漏极；所

专利地区：江苏