原子力纳米探针样品标记方法以及集成电路制造方法专利登记公告

专利名称：原子力纳米探针样品标记方法以及集成电路制造方法

摘要：本发明提供了一种原子力纳米探针样品标记方法以及集成电路制造方法。根据本发明的原子力纳米探针样品标记方法包括：失效点查找步骤，用于采用聚焦离子束在原子力纳米探针样品内找到失效点；失效点标记步骤，用于在失效点相距不大于特定距离的范围内用聚焦离子束进行标记；标记填充步骤，用于采用聚焦离子束在所述标记中填入填充材质；以及待测试层研磨步骤，用于采用研磨装置对原子力纳米探针样品进行研磨，以去除待测试层之上的所有层的至少一部分。根据本发明的原子力纳米探针样品标记方法使得被标记区域的高度差能被有效控制，从而利于测试。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210170387.6

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：李剑;倪亮

主权项：一种原子力纳米探针样品标记方法，其特征在于包括：失效点查找步骤，用于采用聚焦离子束在原子力纳米探针样品内找到失效点；失效点标记步骤，用于在失效点相距不大于特定距离的范围内用聚焦离子束进行标记；标记填充步骤，用于采用聚焦离子束在所述标记中填入填充材质；以及待测试层研磨步骤，用于采用研磨装置对原子力纳米探针样品进行研磨，以去除待测试层之上的所有层的至少一部分。

专利地区：上海