双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法专利登记公告

专利名称：双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法

摘要：本发明提供了一种双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率的激光输出。该双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，包括分别位于多量子阱芯片上方的上液体制冷器和下方的下液体制冷器、以及与多量子阱芯片处于同一层面用于隔离上、下液体制冷器的绝缘片；多量子阱芯片的负极面和/或正极面通过应力缓冲导电层与上液体制冷器和/或下液体制冷器连接；应力缓冲导电层的厚度使得多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度相等。本发明采用上下两个微通道制冷器，大大增加散热面积，达到

专利类型：发明专利

专利号：CN201210171180.0

专利申请（专利权）人：西安炬光科技有限公司

专利发明（设计）人：张普;王警卫;梁雪杰;宗恒军;刘兴胜

主权项：双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，包括分别位于多量子阱芯片上方的上液体制冷器和下方的下液体制冷器、以及与多量子阱芯片处于同一层面用于隔离上、下液体制冷器的绝缘片；多量子阱芯片的负极面和/或正极面通过应力缓冲导电层与上液体制冷器和/或下液体制冷器连接；应力缓冲导电层的厚度使得多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度相等。

专利地区：陕西