倒装LED芯片结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：倒装LED芯片结构及其制备方法

摘要：本发明提出一种倒装LED芯片结构，包括由下至上依次堆叠的硅合金衬底、金属中间层、P型氮化镓半导体层、有源层、N型氮化镓半导体层。采用了与生长基板热膨胀系数相近的硅合金材质的转移基板作为LED芯片的衬底，降低了LED芯片器件层的晶格错位损伤，减少了漏电流的产生，提升了产品性能。本发明还提出一种上述倒装LED芯片结构的制备方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210172102.2

专利申请（专利权）人：杭州士兰明芯科技有限公司

专利发明（设计）人：张昊翔;金豫浙;封飞飞;万远涛;高耀辉;李东昇;江忠永

主权项：一种倒装LED芯片结构，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的硅合金衬底、金属中间层、P型氮化镓半导体层、有源层、N型氮化镓半导体层。

专利地区：浙江