在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法专利登记公告

专利名称：在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法

摘要：一种在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，包括如下步骤：1)用碱液或混酸腐蚀蓝宝石衬底上的GaN模以形成六角微坑；2)采用ICP的方法，继续刻蚀六角微坑，在六角微坑周围形成GaN纳米柱；3)采用MOCVD的方法，在GaN纳米柱上外延GaN?LED层，使GaN层与蓝宝石衬底之间形成空气柱，完成制备。采用本发明的方法，可有效降低GaN外延层的位错密度，提高外延材料的晶体质量和均匀性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210184531.1

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;李晋闽

主权项：一种在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，包括如下步骤：1)用碱液或混酸腐蚀蓝宝石衬底上的GaN模以形成六角微坑；2)采用ICP的方法，继续刻蚀六角微坑，在六角微坑周围形成GaN纳米柱；3)采用MOCVD的方法，在GaN纳米柱上外延GaN?LED层，使GaN层与蓝宝石衬底之间形成空气柱，完成制备。

专利地区：北京