具有空气桥结构发光二极管的制作方法专利登记公告

专利名称：具有空气桥结构发光二极管的制作方法

摘要：一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层

专利类型：发明专利

专利号：CN201210180422.2

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽

主权项：一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：1)在蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅掩蔽层，二氧化硅掩蔽层的厚度为400nm；2)在二氧化硅掩蔽层上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；3)第一次加热，温度为80℃，使自组装聚苯乙烯球与二氧化硅掩蔽层结合牢固；4)采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；5)第二次加热，温度为105℃，加热时间为1?5min，使自组装聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及二氧化硅掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜，金属掩膜的材料

专利地区：北京