基于C注入的Ni膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法专利登记公告

专利名称：基于C注入的Ni膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法

摘要：本发明公开了一种基于C注入的Ni膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法。其实现步骤是：(1)将清洗后的Si样片放入CVD系统反应室中，生长一层碳化层；(2)对反应室升温至1200℃-1350℃，在碳化层上生长3C-SiC异质外延薄膜；(3)制作由隔离带和离子注入带组成的掩膜板；(4)对3C-SiC样片中离子注入带区域注入C离子；(5)将3C-SiC样片置于外延炉中通Ar气，快速加热至1200-1300℃，恒温保持30~90min,使离子注入带区域的3C-SiC热解生成碳膜；(6)在Si基体上电子束沉积Ni膜；(7

专利类型：发明专利

专利号：CN201210176636.2

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;赵艳黎;张玉明;汤晓燕;张克基

主权项：一种基于C注入的Ni膜辅助退火石墨烯纳米带制备方法，包括以下步骤：（1）对4?12英寸的Si衬底基片进行标准清洗；（2）将清洗后的Si衬底基片放入CVD系统反应室中，对反应室抽真空达到10?7mbar级别；（3）在H2保护的情况下逐步将反应室升至碳化温度1000℃?1200℃，通入流量为30ml/min的C3H8，对衬底进行碳化4?8min，生长一层碳化层；（4）将反应室迅速升温至1200℃?1350℃后，通入30?60min的C3H8和SiH4，再在H2保护下逐步降至室温，完成3C?SiC外延薄膜的生长

专利地区：陕西