基于C注入的Cu膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法专利登记公告

专利名称：基于C注入的Cu膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法

摘要：本发明公开了一种基于C注入的Cu膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；制作由隔离带和离子注入带组成的掩膜板；再利用掩膜板对清洗后的SiC样片在离子注入带内注入C离子；再将注入C离子后的SiC样片放入外延炉中通Ar气加热至1200-1300℃恒温保持30-90min,使离子注入带区域的SiC热解生成碳膜；再将生成的碳膜样片放在Cu膜上，置于Ar气中退火，使碳膜重构成石墨烯纳米带，最后取开Cu膜，在SiC衬底上得到隔离带和石墨烯纳米带相间的纳米材料。本发明工艺简单，安

专利类型：发明专利

专利号：CN201210176942.6

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;赵艳黎;张玉明;汤晓燕;张克基

主权项：一种基于C注入的Cu膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法，包括以下步骤：（1）对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；（2）制作由隔离带和离子注入带组成的掩膜板，隔离带宽度100?200nm，离子注入带宽度50?200nm；（3）利用掩膜板对清洗后的SiC样片在离子注入带内注入能量为15?45keV，剂量为5×1014~5×1016cm?2的C离子；（4）将注入C离子后的SiC样片放入外延炉中，调节外延炉中压强为0.5~1×10?6Torr，再向炉中通入流速为500?800ml/min的Ar气，并将外延炉

专利地区：陕西