独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法

摘要：本发明公开了一种独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法。该薄膜制备过程包括，将纯钛材阳极氧化得到二氧化钛纳米管阵列薄膜后，用氢氟酸溶液浸泡该薄膜，使薄膜与钛基体分离，获得独立的无定形二氧化钛纳米管阵列薄膜，随后经去离子水清洗、锻烧得到独立的锐钛矿型二氧化钛纳米管阵列薄膜。本发明方法过程简单，操作方便。二氧化钛薄膜的厚度可以通过控制阳极氧化的时间来控制，二氧化钛纳米管的直径可以通过改变阳极氧化电压来控制。相比于以钛片为基底的二氧化钛纳米管阵列薄膜而言，该薄膜面积较大，可转移到透明柔韧的基底上，应用范围更为广

专利类型：发明专利

专利号：CN201210177244.8

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：赵乃勤;初飞;李家俊;师春生;刘恩佐;何春年

主权项：一种独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将工业纯钛片分别在去离子水，乙醇和丙酮中超声清洗，空气中干燥后，在含质量分数0.25?0.75%氟化铵、体积分数1?2%水的乙二醇电解液中，以钛片作为阳极，铂电极作为阴极，在电压40?120V条件下阳极氧化1?24h得到二氧化钛纳米管阵列薄膜，乙醇超声清洗，空气中干燥；2）将步骤1）得到的以钛片为基底的二氧化钛纳米管阵列薄膜加入到质量分数为0.1?5%的氢氟酸溶液中，在室温下反应30秒至5分钟后，二氧化钛纳米管阵列薄膜与基底钛片分离，

专利地区：天津