春石斛兰嫩茎段离体培养方法专利登记公告

专利名称：春石斛兰嫩茎段离体培养方法

摘要：本发明提供了一种春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，具体步骤为：第一步：选取新抽生的嫩枝，剥去叶片及叶鞘，清洗，消毒，用无菌水冲洗，用无菌滤纸吸干水份；第二步：将第一步得到的嫩枝切成茎段，诱导腋芽萌发生长；第三步：切下第二步得到的新芽，诱导丛生芽生长；第四步：将丛生芽切成单芽后，接种到第三培养基上进行生根培养，得到生根的试管苗；第五步：将生根的试管苗移入苔藓基质中，装入塑料穴盘中育成“苔藓穴盘苗”，移栽后浇足水，第二天开始叶面喷洒清水，半月后追施营养液，经三个月以上培养后，移入花盆中作盆花培养或

专利类型：发明专利

专利号：CN201210179901.2

专利申请（专利权）人：上海市闵行区农业科学研究所

专利发明（设计）人：汤桂钧;蒋建平;胡海峰;吴永兰;吴穷;张媁

主权项：一种春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，具体步骤为：第一步：选取新抽生的长度为5～15厘米的嫩枝，剥去叶片及叶鞘，用洗洁精清洗，在超净工作台上先用75vol％的乙醇溶液浸泡消毒0.5～1.5min，再用洁尔敏溶液浸泡消毒15min，所述的洁尔敏溶液中洁尔敏和水的体积比为1∶50，最后用0.1vol％的升汞溶液浸泡消毒15min，用无菌水冲洗，用无菌滤纸吸干水份；第二步：将第一步得到的嫩枝切成0.5～1.5cm长的茎段，每个茎段带1个茎节，接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长；第三步：切下第二步得到

专利地区：上海