樱桃砧木嫩茎段离体培养方法专利登记公告

专利名称：樱桃砧木嫩茎段离体培养方法

摘要：本发明公开了一种樱桃砧木嫩茎段离体培养方法。所述的樱桃砧木嫩茎段离体培养方法为：选取新抽生的半木质化的嫩枝，剪去叶片，清洗消毒后，再用无菌水冲洗，最后用无菌滤纸吸干水份；将嫩枝切成茎段，接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长；切下新芽，接种于第二培养基中诱导丛生芽生长；将丛生芽切成单芽后，接种于第三培养基上进行生根培养，得到生根的试管苗；将试管苗移入泥炭+珍珠岩的基质中，装入塑料穴盘中育成穴盘苗，移栽后浇足水，第二天开始叶面喷洒清水，每天2次，半月后追施营养液，每月二次，经三个月以上培养后，移至塑料大棚作砧木

专利类型：发明专利

专利号：CN201210183584.1

专利申请（专利权）人：上海闵行区苗圃

专利发明（设计）人：陆锦明;朱天华;王水燕;汤桂钧;蒋建平;胡海峰

主权项：一种樱桃砧木嫩茎段离体培养方法，其特征在于，具体步骤如下：第一步：选取新抽生的半木质化的嫩枝，剪去叶片，用洗洁精清洗，在超净工作台上先用75vol％的乙醇溶液浸泡消毒1min，然后用0.1vol％的升汞溶液浸泡消毒15min，再用无菌水冲洗，最后用无菌滤纸吸干水份；第二步：将第一步得到的嫩枝切成1cm长的茎段，每个茎段带1?2个茎节，接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长；第三步：切下第二步得到的新芽，接种于第二培养基中诱导丛生芽生长；第四步：将第三步得到的丛生芽切成单芽后，接种于第三培养基上进行生根培养，得

专利地区：上海