一种覆晶式半导体发光器件结构与其制造方法专利登记公告

专利名称：一种覆晶式半导体发光器件结构与其制造方法

摘要：本发明公开了一种覆晶式半导体发光器件结构及其制作方法。一种覆晶式半导体发光器件结构，包括：支撑基板；发光外延层位于所述支撑基板之上，依次由p型半导体层、发光活性层、n型半导体层、缓冲层构成；透光性生长衬底，位于所述发光外延层之上；其特征在于：一规则的图形化空气夹层，位于所述生长衬底与发光外延层之间，其具有光学匹配厚度。通过在衬底与外延层之间具有光学匹配厚度的图形化散热空气夹层，可以达到增加透光和散热效果。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210182009.X

专利申请（专利权）人：厦门市三安光电科技有限公司

专利发明（设计）人：钟志白;杨建健;陈文欣;梁兆煊

主权项：一种覆晶式半导体发光器件结构，包括：支撑基板；发光外延层位于所述支撑基板之上，依次由p型半导体层、发光活性层、n型半导体层、缓冲层构成；透光性生长衬底，位于所述发光外延层之上；其特征在于：一规则的图形化空气夹层，位于所述生长衬底与发光外延层之间，其具有光学匹配厚度。

专利地区：福建