一种MEMS谐振腔结构专利登记公告

专利名称：一种MEMS谐振腔结构

摘要：本发明提供了一种MEMS谐振腔结构，包括：半导体衬底；第一支撑柱，所述第一支撑柱设置于所述半导体衬底上；反射层，所述反射层设置于所述第一支撑柱上；第二支撑柱，所述第二支撑柱设置于所述反射层上；结构层，所述结构层设置于所述第二支撑柱上，所述结构层包括功能层及设置于所述功能层上面及下面的释放保护层。通过所述第一支撑柱使得所述反射层悬空于所述半导体衬底之上，由此便可避免半导体衬底上的噪声对于反射层的影响，从而提高MEMS谐振腔结构的性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210183533.9

专利申请（专利权）人：上海集成电路研发中心有限公司

专利发明（设计）人：袁超

主权项：一种MEMS谐振腔结构，其特征在于，包括：半导体衬底；第一支撑柱，所述第一支撑柱设置于所述半导体衬底上；反射层，所述反射层设置于所述第一支撑柱上；第二支撑柱，所述第二支撑柱设置于所述反射层上；结构层，所述结构层设置于所述第二支撑柱上，所述结构层包括功能层及设置于所述功能层上面及下面的释放保护层。

专利地区：上海