一种基于SLiM-Cut技术制备超薄硅片的方法专利登记公告

专利名称：一种基于SLiM-Cut技术制备超薄硅片的方法

摘要：一种基于SLiM-Cut技术制备超薄硅片的方法，在硅衬底上印上一层厚度为20mm青铜浆层，干燥后放入快速退火炉，加热到720℃之后，保温10秒，然后停火冷却；取出后在硅衬底上青铜层的表面印制厚度为40mm的锌浆层，干燥后放入快速退火炉中，加热到720℃之后，保温10秒，然后停火冷却，使硅衬底表面与青铜层相结合的硅层从硅衬底上剥离；放入化学蚀刻液中，将锌层和青铜层腐蚀溶解，取出剩余的硅层，清洗后晾干，即得到厚度为30-50mm的超薄硅片。本方案退火温度较低，降低了能源消耗；以青铜和锌为丝印层，均为传统的材料

专利类型：发明专利

专利号：CN201210188942.8

专利申请（专利权）人：河南科技大学

专利发明（设计）人：李国岭;周锋子;李立本;李航;王丹丹;李新忠

主权项：一种基于SLiM?Cut技术制备超薄硅片的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）、取大小为5×5?cm2的硅片作为衬底；（2）、将硅衬底水平放置，在其上表面通过丝网印刷的方法印上一层厚度为20?mm青铜浆层；（3）、然后将印有青铜浆层的硅衬底放置在200℃的条件下，使青铜浆层干燥，形成青铜层；（4）、将附有干燥后青铜层的硅衬底放入快速退火炉中，加热到720?℃之后，保温10秒，然后停火，风冷冷却；（5）、将步骤（4）冷却后的硅衬底取出，设有青铜层的一面朝上放置，通过丝网印刷的方法在硅衬底上青铜层的表面印制

专利地区：河南