凹槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法专利登记公告

专利名称：凹槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法

摘要：本发明提供了一种凹槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法。根据本发明的凹槽刻蚀方法包括：在硅片上涂覆具有具体厚度的光刻胶；形成所述光刻胶的用于刻蚀出凹槽的图案；以及利用形成有图案的光刻胶，执行等离子刻蚀；其中，对光刻胶的所述具体厚度以及等离子刻蚀过程中的刻蚀能量进行控制，以使等离子体消耗完所述光刻胶而刻蚀到光刻胶的下面的硅片。利用刻蚀光刻胶残留的特点，根据本发明，可以在不执行硼磷硅玻璃回流的情况下形成上部的角轮廓形成为圆弧形状的凹槽，从而简化了工艺步骤，降低了工艺成本，并且缩短了工艺时间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210191423.7

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：邓咏桢;陈莹莹

主权项：一种凹槽刻蚀方法，其特征在于包括：在硅片上涂覆具有具体厚度的光刻胶；形成所述光刻胶的用于刻蚀出凹槽的图案；以及利用形成有图案的光刻胶，执行等离子刻蚀；其中，对光刻胶的所述具体厚度以及等离子刻蚀过程中的刻蚀能量进行控制，以使等离子体消耗完所述光刻胶而刻蚀到所述光刻胶的下面的硅片。

专利地区：上海