提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法专利登记公告
专利名称：提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法
摘要：本发明公开了一种提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法，其为在进行锗硅薄膜生长之前，去除光刻对准标记区域中位于硅衬底上的膜层。本发明的方法，使光刻对准区域的锗硅薄膜直接生长在硅衬底上，以提高光刻对准精度。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110059728.8
专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司
专利发明（设计）人：苏波;李敦然;叶果;孟鸿林;王雷
主权项：一种提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法，其特征在于：在进行锗硅薄膜生长之前，去除光刻对准标记区域中位于硅衬底上的膜层。
专利地区：上海
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