一种基于可控硅电源的真空自耗电弧炉熔滴测试方法专利登记公告

专利名称：一种基于可控硅电源的真空自耗电弧炉熔滴测试方法

摘要：本发明涉及一种基于可控硅电源的真空自耗电弧炉熔滴测试方法，其特征在于：采用可控硅电源作为真空自耗电弧炉的供电电源，测试步骤如下：将真空自耗电弧炉的炉压信号进行变压处理，然后由DSP处理器进行频率不低于50KHz的采样，得到采样数据；对采样转换数据进行多阶陷波处理，将陷波处理数据逐个与设定的阈值进行比较，得到熔滴短路脉冲中所包含的连续的小于阈值的采样变换值个数除以采样率得到该熔滴短路脉冲的持续时间，并通过串口输出到控制设备PLC上。有益效果是，及时敏锐地检测到弧长的变化，为后续的熔滴控制提供了精准的测试数据

专利类型：发明专利

专利号：CN201210190693.6

专利申请（专利权）人：西北工业大学

专利发明（设计）人：吕国云;胡水仙;樊养余;齐敏

主权项：一种基于可控硅电源的真空自耗电弧炉熔滴测试方法，其特征在于：采用可控硅电源作为真空自耗电弧炉的供电电源，测试步骤如下：步骤1：将真空自耗电弧炉的炉压信号进行变压处理，变至DSP处理器AD模块的工作电压范围后，然后由DSP处理器进行频率不低于50KHz的采样，得到采样数据；步骤2：在采样的同时，对采样转换数据进行多阶陷波处理；步骤3：将陷波处理后的数据逐个与设定的阈值进行比较，当陷波处理后的数据大于阈值时舍弃，当陷波处理后的数据出现小于阈值时为熔滴短路脉冲的起始信号，当陷波处理后的数据再次出现大于阈值时为熔

专利地区：陕西