通过合金键合在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法专利登记公告

专利名称：通过合金键合在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法

摘要：本发明涉及在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法，通过将部分耗尽型SOI/MOS器件背部衬底引出，外接负电压，从而改善辐射条件下部分耗尽型SOI/MOS器件的背栅效应。本发明的优点是：此方法不但解决了SOI/MOS器件背部衬底电压不确定的问题，而且在器件制造的过程中不需要对背栅进行额外的工艺加固，简化了工艺步骤。背栅接负压，能够提高部分耗尽型SOI/MOS电路的抗总剂量能力，且对表面其它电路的性能无影响。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210190941.7

专利申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

专利发明（设计）人：周昕杰;罗静;陈嘉鹏;王栋;洪根深

主权项：?通过合金键合在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构，其特征是，包括：二氧化硅埋氧化层（2）位于背部硅衬底（1）上，二氧化硅埋氧化层（2）上设有硅体区（3）、MOS器件的单晶硅源/漏区域（5）、二氧化硅隔离的场区（4），MOS器件的单晶硅源/漏区域（5）位于硅体区（3）的周围，二氧化硅隔离的场区（4）位于MOS器件的单晶硅源/漏区域（5）周围；在硅体区（3）上覆盖有MOS器件的二氧化硅栅介质层（6），所述MOS器件的二氧化硅栅介质层（6）上覆盖有MOS器件的多晶硅栅（7），在MOS器件的单晶硅源/漏区域（

专利地区：江苏