一种FINFET动态随机存储器单元及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种FINFET动态随机存储器单元及其制备方法

摘要：本发明提出了FINFET动态随机存储器单元及其制备方法，该FINFET动态随机存储器单元包括衬底，体区，源极、漏极，鳍，源极金属层，漏极金属层，栅介质层，栅极和钝化层。本发明的FINFET动态随机存储器单元将产生的载流子存储在晶体管下方的体区中，利用晶体管的衬底偏置效应，通过调制器件体区内的电荷，使器件的阈值电压发生变化以达到存储信息的目的，其原理简单，能够获得较快的速度，在数据读取的过程中，不会破坏存储在体区内的电荷，提高了最大刷新时间，其采用FinFET结构，提高了读取和写入效率。本发明的制备方法工艺

专利类型：发明专利

专利号：CN201210161290.9

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：刘立滨;梁仁荣;王敬;许军

主权项：一种FINFET动态随机存储器单元，其特征在于，包括：衬底；体区，所述体区形成在所述衬底之上；源极、漏极和鳍，所述源极、漏极和鳍形成在所述体区之上，所述鳍位于源极与漏极之间；源极金属层和漏极金属层，所述源极金属层形成在所述源极之上，所述漏极金属层形成在所述漏极之上；栅介质层和栅极，所述栅介质层形成在所述鳍之上，所述栅极形成在所述栅介质之上；钝化层，所述钝化层形成在未被所述源极、漏极和鳍覆盖的体区之上。

专利地区：北京