SOI MOS晶体管专利登记公告

专利名称：SOI MOS晶体管

摘要：本发明提供了一种SOI?MOS晶体管，包括：形状连续的器件有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；栅极，跨器件有源区延伸；源区和漏区，分别位于栅极两侧的器件有源区中；体接触有源区，独立于器件有源区，并且通过不到底隔离电连接到栅极之下的沟道区。本发明提供的SOI体接触MOS晶体管有利于抑制浮体效应，减小长沟道晶体管寄生电容和寄生电阻的影响，减小侧向泄漏电流。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210155009.0

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：李莹;毕津顺;罗家俊;韩郑生

主权项：一种SOI?MOS晶体管，包括：形状连续的器件有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；栅极，跨器件有源区延伸；源区和漏区，分别位于栅极两侧的器件有源区中；体接触有源区，独立于器件有源区，并且通过不到底隔离电连接到栅极之下的沟道区。

专利地区：北京