SOI MOS晶体管专利登记公告

专利名称：SOI MOS晶体管

摘要：本发明提供了一种SOI?MOS晶体管，包括：形状连续的有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；H型或T型栅极，包括主栅部分和至少一个扩展栅部分，其中每个扩展栅部分位于主栅部分在宽度方向上的一个末端并在主栅部分的长度方向上延伸；源区和漏区，分别位于主栅部分两侧的有源区中；源端体接触区，位于源区一侧的有源区中，并由扩展栅部分与源区隔离；漏端体接触区，位于漏区一侧的有源区中，并由扩展栅部分与漏区隔离；其中，对于扩展栅部分之一的外侧具有源端体接触区和/或漏端体接触区的情况，主栅部分在该扩展栅部分的一端在宽度方向上延

专利类型：发明专利

专利号：CN201210154443.7

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：李莹;毕津顺;罗家俊;韩郑生

主权项：一种SOI?MOS晶体管，包括：形状连续的有源区（307），形成于SOI衬底（300）的SOI层中；H型或T型栅极，包括主栅部分（301）和至少一个扩展栅部分（302），其中每个扩展栅部分（302）位于主栅部分在宽度方向上的一个末端并在主栅部分（301）的长度方向上延伸；源区（303）和漏区（304），分别位于主栅部分（301）两侧的有源区中；源端体接触区（305），位于源区（303）一侧的有源区中，并由扩展栅部分（302）与源区隔离；与源端体接触区（305）分开的漏端体接触区（306），位于漏区（304

专利地区：北京