体衬底上制造的被隔离的三栅极晶体管专利登记公告

专利名称：体衬底上制造的被隔离的三栅极晶体管

摘要：一种形成被隔离的三栅极半导体主体的方法，包括：对体衬底进行构图，以形成鳍结构；在所述鳍结构周围沉积绝缘材料；使所述绝缘材料凹陷，以暴露所述鳍结构的将用作所述三栅极半导体主体的部分；在所述鳍结构的被暴露部分上沉积氮化物盖，以保护所述鳍结构的被暴露部分；以及执行热氧化工艺，以氧化所述鳍结构位于所述氮化物盖下方的未被保护部分。所述鳍结构的被氧化部分隔离受所述氮化物盖保护的所述半导体主体。然后可以去除所述氮化物盖。所述热氧化工艺可以包括在大约900℃和大约1100℃之间的温度下、在大约0.5小时和大约3小时之间的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210137882.7

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：R·里奥斯;J·T·卡瓦列罗斯;S·M·塞亚

主权项：一种装置，包括体衬底；与所述体衬底直接接触并且从所述体沉积延伸的鳍结构；形成在所述鳍结构和所述体衬底上方的氧化物层，其中所述氧化物层与所述鳍结构和所述体衬底二者直接接触，并且其中所述氧化物层的顶表面在所述鳍结构和所述体衬底二者上方基本上是平的；以及形成在所述氧化物层上的半导体主体，所述半导体主体临近所述鳍结构并且与所述鳍结构对准，其中所述半导体主体和所述鳍结构二者由与所述体衬底相同的材料形成，并且其中所述氧化物层将所述半导体主体与所述鳍结构隔离开。

专利地区：美国