肖特基二极管及其制造方法专利登记公告

专利名称：肖特基二极管及其制造方法

摘要：本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法。本发明的肖特基二极管包括：掺杂衬底；第一掺杂区域，形成于所述掺杂衬底内，所述第一掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；第二掺杂区域，形成于所述第一掺杂区域内，所述第二掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；介质层，形成于所述掺杂衬底上；至少两个以上的第一凹槽和至少一个以上的第二凹槽，贯穿所述介质层；第一金属电极，形成于所述第一凹槽内，并与第二掺杂区域相接触；以及第二金属电极，形成于所述第二凹槽内，位于所述第一金属电极的一侧。本发明的肖特基二极管，提高了反

专利类型：发明专利

专利号：CN201210191407.8

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：汪洋

主权项：一种肖特基二极管，包括：掺杂衬底；第一掺杂区域，形成于所述掺杂衬底内，所述第一掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；第二掺杂区域，形成于所述第一掺杂区域内，所述第二掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；介质层，形成于所述掺杂衬底上；至少两个以上的第一凹槽和至少一个以上的第二凹槽，贯穿所述介质层；第一金属电极，形成于所述第一凹槽内，并与第二掺杂区域相接触；以及第二金属电极，形成于所述第二凹槽内，位于所述第一金属电极的一侧。

专利地区：上海