肖特基势垒二极管专利登记公告

专利名称：肖特基势垒二极管

摘要：在基板的中心区域，形成有横跨邻接护圈层的第二半导体层和邻接该第二半导体层的第二半导体层之间的第三绝缘层。即，在第二半导体层与第二半导体层之间，形成有覆盖了在基板的第一面(一侧的主面)露出的第一半导体层的第三绝缘层。这样，第三绝缘层在第二半导体层和第二半导体层之间，使在基板11的第一面11a露出的第一半导体层和金属层之间电气绝缘。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210067432.5

专利申请（专利权）人：新电元工业株式会社

专利发明（设计）人：前山雄介;大泽良平;荒木克隆;渡部善之

主权项：一种肖特基势垒二极管，其特征在于，具有：由碳化硅构成的基板；包含在所述基板内，由与该基板的第一面邻接的n型半导体构成的第一半导体层；与该第一半导体层肖特基接合的金属层；与该金属层的周缘区域相接，向外侧扩展的第一绝缘层；沿该第一绝缘层和所述金属层接触的周缘区域，由在所述第一半导体层内形成的p型半导体构成的护圈层；从该护圈层向所述基板的中心区域，在所述第一半导体层内，由在每个第1间隔形成的多个p型半导体构成的第二半导体层；位于所述基板的第一面上，在所述护圈层和与该护圈层邻接的所述第二半导体层之间形成的第二绝缘

专利地区：日本