超大电流高频FRD二极管芯片及制作方法专利登记公告

专利名称：超大电流高频FRD二极管芯片及制作方法

摘要：一种超大电流高频快恢复FRD二极管芯片及制作方法，包括厚度为170μm～210μm、截面电阻率为3Ω/□~15Ω/□的N型衬底，N型衬底的△ρn/ρn≦15%、硅片基区宽度≥1.1倍空间电荷区宽度，设在N型衬底正面的N+区、N++区，设在N型衬底背面的P++区，所述N+区结深20μm～30μm，扩散电阻Rsp+为1.6Ω/□～2.4Ω/□，N++区结深为20μm～30μm，扩散电阻Rsp+为0.3Ω/□～0.5Ω/□，P++区结深为80μm～90μm，扩散电阻Rsp+为1Ω/□～3Ω/□。制作方法为：1采

专利类型：发明专利

专利号：CN201210182873.X

专利申请（专利权）人：锦州市圣合科技电子有限责任公司

专利发明（设计）人：夏禹清;高瑞彬;夏吉夫;郭永亮;潘福泉

主权项：一种超大电流高频FRD二极管芯片，包括N型衬底，其特征是：所述的N型衬底的厚度为170μm～210μm、截面电阻率为3Ω/□~15Ω/□，在N型衬底正面设有N+区、N++区，在N型衬底背面设有P++区，所述N+区结深20μm～30μm，扩散电阻Rsp+为1.6Ω/□?～2.4Ω/□，N++区的结深为20μm～30μm，扩散电阻Rsp+为0.3Ω/□～0.5Ω/□，P++区的结深为80μm～90μm，扩散电阻Rsp+为1Ω/□～3Ω/□。

专利地区：辽宁