超快恢复二极管专利登记公告

专利名称：超快恢复二极管

摘要：本发明涉及超快恢复二极管。一种超快二极管，其中超快二极管形成为平面构造，包括：第一极性的衬底；第一极性的轻掺杂层，连接至衬底；超快二极管的阴极，与轻掺杂层相对设置在衬底的表面上；金属化层，设置在轻掺杂层上作为超快二极管的阳极；彼此分离的多个阱，形成在轻掺杂层中，包括第二极性的掺杂质，其中，阱电连接至金属化层；以及多个JFET沟道区，位于多个阱中的各个阱之间，比轻掺杂层更重地掺杂第一极性，超快二极管被构造成使得在正向偏压条件下多数电流流过沟道区。该超快二极管保持软恢复特性并具有减少的反向恢复电荷。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210135173.5

专利申请（专利权）人：美商科斯德半导体股份有限公司

专利发明（设计）人：理查德·弗朗西斯;李健;范杨榆;埃里克·约翰逊

主权项：一种超快二极管，其中所述超快二极管形成为平面构造，包括：第一极性的衬底；所述第一极性的轻掺杂层，连接至所述衬底；所述超快二极管的阴极，与所述轻掺杂层相对设置在所述衬底的表面上；金属化层，设置在所述轻掺杂层上作为所述超快二极管的阳极；彼此分离的多个阱，所述多个阱形成在所述轻掺杂层中，所述多个阱包括第二极性的掺杂质，其中，所述多个阱电连接至所述金属化层；以及多个JFET沟道区，位于所述多个阱中的各个阱之间，所述多个JFET沟道区比所述轻掺杂层更重地掺杂所述第一极性，所述超快二极管被构造成使得在正向偏压条件下多

专利地区：美国