半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：本发明的目的是得到下述半导体器件，即能够与P型阳极层的杂质浓度无关地保持耐压，同时能够利用P型阳极层的杂质浓度控制导通电压，由此不进行寿命控制就能够控制导通电压与恢复损耗的折衷选择性，而且能够抑制阶跃现象。解决手段是，在N-型漂移层(1)上设置P型阳极层(2)。贯通P型阳极层地设置沟槽(3)。在沟槽(3)内隔着绝缘膜(4)埋入导电性物质(5)。N-型漂移层(1)与P型阳极层(2)之间设置N型缓冲层(6)。N型缓冲层(6)具有比N-型漂移层(1)更高的杂质浓度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210071923.7

专利申请（专利权）人：三菱电机株式会社

专利发明（设计）人：西井昭人;中村胜光

主权项：一种半导体器件，其特征在于，具备：N型漂移层；在所述N型漂移层上设置的P型阳极层；贯通所述P型阳极层的沟槽；隔着绝缘膜埋入到所述沟槽内的导电性物质；以及设置于所述N型漂移层与所述P型阳极层之间，具有比所述N型漂移层高的杂质浓度的N型缓冲层。

专利地区：日本