半导体装置、应变仪、压力传感器及半导体装置的制造方法专利登记公告
专利名称：半导体装置、应变仪、压力传感器及半导体装置的制造方法
摘要：本发明涉及一种半导体装置、应变仪、压力传感器及半导体装置的制造方法。本发明提供一种半导体装置，其具有因外力的作用而使半导体的电阻值变化的压电电阻体，其特征在于，具有作为上述半导体起作用的被氢终端化的金刚石表面。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210061944.0
专利申请（专利权）人：横河电机株式会社
专利发明（设计）人：竹中一马;新谷幸弘
主权项：一种半导体装置，其具有压电电阻体，该压电电阻体因外力的作用而使半导体的电阻值变化，其特征在于，具有作为上述半导体起作用的被氢终端化的金刚石表面。
专利地区：日本
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