非易失性存储器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：非易失性存储器件及其制造方法

摘要：本发明提供一种非易失性存储器件，包括：多个层叠图案，所述多个层叠图案具有顺序地层叠在衬底之上的隧道绝缘层、浮栅和电介质层；形成在层叠图案之间的衬底中的沟槽；将沟槽以及层叠图案之间的间隔间隙填充的隔离层；以及形成在电介质层之上的控制栅。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110168969.6

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：黄畴元

主权项：一种非易失性存储器件，包括：多个层叠图案，所述多个层叠图案包括形成在衬底之上并顺序地层叠的隧道绝缘层、浮栅和电介质层；沟槽，所述沟槽被形成在所述层叠图案之间的所述衬底中；隔离层，所述隔离层将所述沟槽以及所述层叠图案之间的间隔间隙填充；以及控制栅，所述控制栅被形成在所述电介质层之上。

专利地区：韩国