显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法专利登记公告

专利名称：显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法

摘要：本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法。该薄膜晶体管包括栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层，有源层为氧化物半导体，栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。本发明提供的显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管中的栅极绝缘层通过退火工艺、或分层结构结合退火工艺、或分层结构可最大程度的减少栅极绝缘层中含氢的基团，可有效避免含氢基团对氧化物半导体的影响，最大程度地提高整个TFT器件的稳定性，提高最终产品的良率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210141511.6

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：袁广才;李禹奉

主权项：一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体，所述栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。

专利地区：北京