一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法专利登记公告

专利名称：一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法

摘要：一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法,包括：将碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到富锂多晶粉末A，将A装入耐高温的坩埚下部；把待扩散的缺锂铌酸锂晶体放置在A上，晶体周围裸露的A用铂金片覆盖；再用碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到贫锂多晶粉末B，将B装入坩埚上部；然后将坩埚在高温炉中加热进行扩散处理，扩散温度为1000~1150℃，扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定，扩散温度越高、晶体厚度越小需要

专利类型：发明专利

专利号：CN201210203084.X

专利申请（专利权）人：南开大学

专利发明（设计）人：孙军;许京军;李威;张华;张玲;孔勇发;杨金凤

主权项：一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于：将缺锂铌酸锂晶体的一侧与碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到粒度为0.01mm~0.5mm的富锂多晶粉末A接触，另一侧与碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到粒度为0.01mm~0.5mm的贫锂多晶粉末B接触，然后将晶体与多晶粉末一起放入坩埚中，将坩埚放入高温炉在1000~1150℃温度下进行高温扩散处理，即可获得近化学计量比铌酸锂晶体。

专利地区：天津