一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法专利登记公告

专利名称：一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法

摘要：一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法,包括：将碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到富锂多晶粉末A，将A装入耐高温的坩埚下部；把待扩散的缺锂钽酸锂晶体放置在A上，晶体周围裸露的A用铂金片覆盖；再用碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到贫锂多晶粉末B，将B装入坩埚上部；然后将坩埚在高温炉中进行扩散处理，扩散温度为1300~1500℃，扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定，扩散温度越高、晶体

专利类型：发明专利

专利号：CN201210203315.7

专利申请（专利权）人：南开大学

专利发明（设计）人：孙军;许京军;李威;杨金凤;张玲;孔勇发;张华

主权项：一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法，其特征在于：将缺锂钽酸锂晶体的一侧与碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到的粒度为0.01mm~0.5mm的富锂多晶粉末A接触，另一侧与碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到的粒度为0.01mm~0.5mm的贫锂多晶粉末B接触，然后将晶体与多晶粉末一起放入坩埚中，将坩埚放入高温炉在1300~1500℃温度下进行高温扩散处理，即可获得近化学计量比钽酸锂

专利地区：天津