一种适用于大面积表面等离子体处理的新型源极结构专利登记公告

专利名称：一种适用于大面积表面等离子体处理的新型源极结构

摘要：本实用新型提供的一种可用于大面积表面等离子体处理的新型源极结构，由4~6金属靶材和固定金属靶材的靶托组成，靶材呈格栅状排列，靶材的一端为凸台结构，靶托上有与凸台对应的凹槽。靶材上的凸台和靶托上的凹槽为梯形或燕尾形，两者接触的侧面与水平面的倾斜角为65°~80°。所述凹槽等距离分布在靶托上，凹槽的间距为10~20mm。该新型源极结构在平面源极结构的基础上，增加与其平面相垂直的格栅，每个格栅片之间能够产生空心阴极等离子放电，从而在同样电压条件下，能够获得比传统平面状源极结构更高的等离子体浓度，适用于大面积工件的处理。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN201220247231.9

专利申请（专利权）人：南京航空航天大学

专利发明（设计）人：张平则;黄俊;魏东博;缪强;梁文萍;姚正军;徐重

主权项：一种适用于大面积表面等离子体处理的新型源极结构，其特征在于：由4~6个金属靶材(1)和固定金属靶材的靶托(2)组成，靶材(1)呈格栅状排列，靶材(1)的一端为凸台结构，靶托(2)上有与凸台对应的凹槽。

专利地区：江苏