MOS_场效应晶体管的栅压温度筛选方法专利登记公告

专利名称：MOS_场效应晶体管的栅压温度筛选方法

摘要： MOS场效应晶体管的一种无损伤筛选方法.本方法将MOS晶体管置于高温环境中加以高栅压进行试验.比较试验前后的阈电压值可判知MOS管的可靠性.易于剔除性能不稳定,可靠性差的管子,而对优质正品管无损伤.具有参数反映灵敏,试验效率高,周期短,非破坏性,仪器设备简单,操作容易和节省筛选费用的优点.在当前对MOS管的考核尚无国家标准的情况下亦可作为例行试验方法.

专利类型：发明专利

专利号：CN85107886

专利申请（专利权）人：山东大学

专利发明（设计）人：苗庆海; 刘可辛

主权项： 本发明是ＭＯＳ晶体管的一种筛选方法，它通过比较在一定偏压下，恒温热处理前后晶体管电参数变化来实现，其特征在于，热处理时晶体管的漏极与源极短路，只在栅极与源极间加偏压。

专利地区：山东