单晶连续生长装置专利登记公告

专利名称：单晶连续生长装置

摘要： 单晶连续生长装置是单晶连续生长的设备,其特征为拉晶`退火连续进行.本实用新型是把拉晶炉和退火炉合为一体,由温度控制装置控制,实现热连续.拉晶头可以是一个,也可以是多个.本实用新型可以有效地节约投资,节约能耗,提高劳动生产率.

专利类型：实用新型专利

专利号：CN86200234

专利申请（专利权）人：中国科学院声学研究所

专利发明（设计）人：施仲坚; 李惠章; 刘金龙

主权项： 一种采用白金质坩埚提拉单晶的装置，其特征在于它由拉晶炉（７），退火炉（８），降温区（９），（１０），晶体运输机械系统（１５），（１６），（１７），（１８），隔热堵头１１－１，１１－２，１１－３，１１－４，温度控制装置所构成。

专利地区：北京