表面改性用高能宽束发散场考夫曼离子源专利登记公告

专利名称：表面改性用高能宽束发散场考夫曼离子源

摘要： 一种表面改性用高能宽束发散场考夫曼离子源，放电室外部有绝缘陶瓷和处于正高电位的后盖板，控制后极靴和阴极伸进放电室的长度得到发散场，并提高了离子源的引出电压。本离子源，结构紧凑、简单、效率高；可以直接加速离子到达离子注入所需要的高能量。在材料表面处理中可以提高金属表面的硬度、耐磨性、抗腐蚀性和抗疲劳性，并对基体外形尺寸无明显影响。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN86201075

专利申请（专利权）人：中国科学院空间中心

专利发明（设计）人：冯毓材

主权项： 一种表面改性用高能宽束发散场考夫曼离子源由放电室、绝缘子和加速系统组成，本实用新型的特征是考夫曼源的外部有绝缘套管１２处于正高电位的后盖板１，离子源的出口法兰１３。

专利地区：北京